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Beam Imaging 電子束觀察系統(tǒng) 真空組件
Beam Imaging 電子束觀察系統(tǒng) 真空組件
Beam Imaging Solutions (BIS) 推出了 90 度 BOS,它允許對(duì)與成像平面成 90 度的光束進(jìn)行遠(yuǎn)程成像。BOS-40-IW 可以連接到線性運(yùn)動(dòng)饋通件上,并放置在光束內(nèi)或從光束中移出,從而在真空室深處進(jìn)行遠(yuǎn)程成像。成像是通過(guò)將標(biāo)準(zhǔn) BOS MCP/熒光屏堆棧安裝到金屬外殼上來(lái)完成的,金屬外殼具有相對(duì)于成像平面成 90 度安裝的鏡子。外殼采用楔形設(shè)計(jì),以最大限度地減小成像儀的物理尺寸,并具有連接到線性運(yùn)動(dòng)饋通的便捷點(diǎn)。電氣連接是通過(guò)將柔性電氣絕緣電線連接到電氣饋通件的楔塊上的連接塊來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在標(biāo)準(zhǔn)形式中,BOS-IW 裝置可與 MCP/熒光粉組件一起安裝在帶有電氣連接塊的楔形外殼上。還提供 BOS-IW 套件,包括帶有電氣饋入裝置、視口、線性運(yùn)動(dòng)饋入裝置和攝像系統(tǒng)的 BOS-IW 裝置。
成像區(qū)域 | 直徑 40mm |
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MCP(標(biāo)準(zhǔn)) | 1.975 英寸直徑 (BOS-40-IW),10 微米通道直徑,成像級(jí),40 毫米有效面積,12 微米間距,8° 偏置角,46:1 縱橫比(標(biāo)準(zhǔn),BOS-40-IW),最大增益:2 x 104(單板,標(biāo)準(zhǔn))1000V > 107(V 形,OPT-01),2000V |
熒光屏(標(biāo)準(zhǔn)) | P-43 帶鋁涂層。P-43 峰值波長(zhǎng):λ= 545 nm。 |
電源要求 | 0 – + 1000V,1mA 單 MCP(標(biāo)準(zhǔn)),0 – + 2000V,1mA 雙 MCP(選件 01),0 – + 5000V,1 mA 熒光屏 |
光束能量范圍 | 1 eV 至 50 keV 以上 |
束流范圍 | < 10 μA(帶可選的光束衰減格柵) |
真空 | 運(yùn)行 MCP 需要 1 x 10-6 Torr 或更高溫度,兼容 UHV,最高烘烤溫度 300 C |
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